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CoolSiC?肖特基二極管G5 10-80A 2000V，TO-247-2封裝

  • CoolSiC?肖特基二極管10-80A 2000V G5系列現(xiàn)在也采用TO-247-2封裝。在高達1500V的高直流母線系統(tǒng)中，該二極管可實現(xiàn)更高的效率和設計簡化。此外，由于采用了.XT互聯(lián)技術，它們還具有一流的散熱性能。該二極管與配套的CoolSiC? MOSFET 2000V產品完美匹配。產品型號：■ IDWD10G200C5■ IDWD25G200C5■ IDWD40G200C5■ IDWD50G200C5■ IDWD80G200C5產品特點■ 無
  • 關鍵字： 二極管  CoolSiC  

英飛凌推出CoolSiC?肖特基二極管2000 V的TO-247-2封裝，在提升效率的同時簡化設計

  • 目前，許多工業(yè)應用正朝著更高功率水平、且功率損耗最小化的方向發(fā)展，實現(xiàn)這一目標的方法之一是提高直流母線電壓。針對這一市場趨勢，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）于?2024年9月推出CoolSiC?肖特基二極管2000 V G5產品系列，這是首款擊穿電壓達到2000 V的碳化硅二極管分立器件。該產品系列目前擴展到TO-247-2封裝，其引腳可與現(xiàn)有的大多數(shù)TO-247-2封裝兼容。該產品系列非常適合最高直流母線電壓為15
  • 關鍵字： 英飛凌  CoolSiC  肖特基二極管  

英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2

  • 電子行業(yè)正在向更加緊湊而強大的系統(tǒng)快速轉型。為了支持這一趨勢并進一步推動系統(tǒng)層面的創(chuàng)新，全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司正在擴展其CoolSiC? MOSFET 650 V單管產品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個全新產品系列。這兩個產品系列采用頂部和底部冷卻并基于CoolSiC? Generation 2（G2）?技術，其性能、可靠性和易用性均有顯著提高。它們專門用于中高功率開關模式電源（SMPS）開發(fā)，包括AI服務器、可再生能源、充電樁、電動交通工
  • 關鍵字： 英飛凌  CoolSiC  MOSFET  

第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離

  • 采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiC? MOSFET G2 1200V 12mΩ至78mΩ系列以第一代技術的優(yōu)勢為基礎，加快了系統(tǒng)設計的成本優(yōu)化，實現(xiàn)高效率、緊湊設計和可靠性。第二代產品在硬開關工況和軟開關拓撲的關鍵性能指標上都有顯著改進，適用于所有常見的交流-直流、直流-直流和直流-交流各種功率變換。產品型號：■ IMZC120R012M2H■ IMZC120R017M2H■ IMZC120R022M2H■ IMZC120R026M2H■&
  • 關鍵字： CoolSiC  MOSFET  

技術洞察 | 英飛凌CoolSiC?和CoolGaN?產品，升級電源和機架架構，滿足AI服務器的需求

  • 前言人工智能（AI）的迅猛發(fā)展推動了數(shù)據(jù)中心處理能力的顯著增長。如圖1所示，英飛凌預測單臺GPU的功耗將呈指數(shù)級上升，預計到2030年將達到約2000W?[1]?，而AI服務器機架的峰值功耗將突破驚人的300kW。這一趨勢促使數(shù)據(jù)中心機架的AC和DC配電系統(tǒng)進行架構升級，重在減少從電網(wǎng)到核心設備的電力轉換和配送過程中的功率損耗。圖2（右）展示了開放計算項目（OCP）機架供電架構的示例。每個電源架由三相輸入供電，可容納多臺PSU；每臺PSU由單相輸入供電。機架將直流電壓（例如，50V）輸
  • 關鍵字： 英飛凌  AI  CoolSiC  CoolGaN  

貿澤電子開售能為電動汽車牽引逆變器提供可擴展性能的英飛凌HybridPACK Drive G2模塊

  • 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入?(NPI)?代理商貿澤電子(Mouser Electronics)即日起開售英飛凌的HybridPACK? Drive G2模塊。HybridPACK Drive G2模塊基于HybridPACK Drive G1，在相同的緊湊尺寸下提供更高的功率密度。HybridPACK Drive G2模塊是一款高效率的汽車功率模塊，適用于電動汽車?(EV)?以及混合動力電動汽車?(HEV)?的牽引逆變器。英
  • 關鍵字： 貿澤  電動汽車  牽引逆變器  英飛凌  HybridPACK Drive G2  

實現(xiàn)3.3KW高功率密度雙向圖騰柱PFC數(shù)字電源方案

  • 隨著社會經(jīng)濟發(fā)展、能源結構變革，近幾年全球對家用儲能系統(tǒng)的需求量一直保持相當程度的增長。2023年，全球家用儲能系統(tǒng)市場銷售額達到了87.4億美元，預計2029年將達到498.6億美元，年復合增長率（CAGR）為33.68%（2023-2029）；便攜儲能市場經(jīng)過了一輪爆發(fā)式增長的狂歡后，現(xiàn)在也迎來了穩(wěn)定增長期，從未來看，預計在2027年便攜儲能市場將達到900億元；AI Server市場規(guī)模持續(xù)增長，帶來了數(shù)字化、智能化服務器所需的高功率服務器電源的需求，現(xiàn)在單機3KW的Power也成為了標配。對于
  • 關鍵字： Infineon  XMC1400  CoolSiC  Mosfet   高功率密度  雙向圖騰柱  PFC  數(shù)字電源  

貿澤開售適合能量轉換應用的新型英飛凌CoolSiC G2 MOSFET

  • 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產品授權代理商貿澤電子?(Mouser Electronics)?即日起開售英飛凌公司的CoolSiC? G2 MOSFET。CoolSiC? G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅?(SiC) MOSFET溝槽技術，開啟了電力系統(tǒng)和能量轉換的新篇章，適用于光伏逆變器、能量儲存系統(tǒng)、電動汽車充電、電源和電機驅動應用。貿澤供貨的英飛凌CoolSiC? G2?MOSFET可在所有常見電源方案組合（AC-DC、DC-DC和DC-A
  • 關鍵字： 貿澤  英飛凌  CoolSiC G2  MOSFET  

英飛凌推出CoolSiC MOSFET 400V，重新定義AI服務器電源的功率密度和效率

  • 隨著人工智能（AI）處理器對功率的要求日益提高，服務器電源（PSU）必須在不超出服務器機架規(guī)定尺寸的情況下提供更高的功率，這主要是因為高級GPU的能源需求激增。到本十年末，每顆高級GPU芯片的能耗可能達到2千瓦或以上。這些需求以及更高要求的應用和相關特定客戶需求的出現(xiàn)，促使英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）開發(fā)電壓650 V以下的SiC MOSFET產品?，F(xiàn)在，英飛凌基于今年早些時候發(fā)布的第二代（G2）CoolSiCTM技術，推出全新CoolSiC??MOS
  • 關鍵字： 英飛凌  CoolSiC MOSFET  AI服務器電源  

英飛凌推出TOLT和Thin-TOLL封裝的新型工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2

  • 在技術進步和低碳化日益受到重視的推動下，電子行業(yè)正在向結構更緊湊、功能更強大的系統(tǒng)轉變。英飛凌科技股份公司推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封裝正在積極支持并加速這一趨勢。這些產品能夠更大程度地利用PCB主板和子卡，同時兼顧系統(tǒng)的散熱要求和空間限制。目前，英飛凌正在通過采用?Thin-TOLL 8x8?和?TOLT?封裝的兩個全新產品系列，擴展其?CoolSiC? MOSFET分立式半導體器件?650 V產品組合。這兩個產品系列基于Coo
  • 關鍵字： 英飛凌  CoolSiC  MOSFET  

英飛凌全新CoolSiC? MOSFET 750 V G1產品系列推動汽車和工業(yè)解決方案的發(fā)展

  • 英飛凌科技股份公司近日推出750V G1分立式CoolSiC? MOSFET，以滿足工業(yè)和汽車功率應用對更高能效和功率密度日益增長的需求。該產品系列包含工業(yè)級和車規(guī)級SiC MOSFET，針對圖騰柱 PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋（DAB）、HERIC、降壓/升壓和移相全橋（PSFB）拓撲結構進行了優(yōu)化。這些MOSFET適用于典型的工業(yè)應用（包括電動汽車充電、工業(yè)驅動器、太陽能和儲能系統(tǒng)、固態(tài)斷路器、UPS系統(tǒng)、服務器/數(shù)據(jù)中心、電信等）和汽車領域（包括車載充電器（OBC）、直流-直流轉換器等）
  • 關鍵字： 英飛凌  CoolSiC  

英飛凌推出全新CoolSiC? MOSFET 2000 V，在不影響系統(tǒng)可靠性的情況下提供更高功率密度

  • 英飛凌科技股份公司近日推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC??MOSFET?2000?V。這款產品不僅能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求，也不會降低系統(tǒng)可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線電壓，可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上第一款擊穿電壓達到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC? MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，爬電距離為14 mm，電氣間隙為5
  • 關鍵字： 英飛凌  CoolSiC  MOSFET  

英飛凌推出新一代碳化硅技術CoolSiC? MOSFET G2，推動低碳化的高性能系統(tǒng)

  • 英飛凌科技股份公司近日推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，開啟功率系統(tǒng)和能量轉換的新篇章。與上一代產品相比，?英飛凌全新的CoolSiC? MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技術在確保質量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標（如能量和電荷儲量）提高了20%，不僅提升了整體能效，更進一步推動了低碳化進程。CoolSiC? MOSFET Generation 2 (G2)?技術繼續(xù)發(fā)揮碳化硅的性能優(yōu)勢，通過降低能量損耗來提高功率轉換過程
  • 關鍵字： 英飛凌  碳化硅  CoolSiC  MOSFET  

2000V 12-100mΩ CoolSiC? MOSFET

  • CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，規(guī)格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯(lián)技術，CoolSiC?技術的輸出電流能力強，可靠性提高。產品型號：???IMYH200R012M1H???IMYH200R024M1H???IMYH200R050M1H???IMYH200R075M1H???IMYH200R0100M1H產品特點■ VDSS=2000V，可用于最高母線電壓為1500VDC系統(tǒng)■ 開關損
  • 關鍵字： MOSFET  CoolSiC  Infineon  

英飛凌推出全新62 mm封裝CoolSiC產品組合,助力實現(xiàn)更高效率和功率密度

  • 英飛凌科技股份公司近日宣布其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標準封裝產品。其采用成熟的62 mm?器件半橋拓撲設計并基于新推出的增強型M1H?碳化硅（SiC）MOSFET技術。該封裝使SiC能夠應用于250 kW以上的中等功率等級應用，而傳統(tǒng)IGBT硅技術在這一功率等級應用的的功率密度已達極限值。相比傳統(tǒng)的62mm IGBT?模塊，其應用范圍現(xiàn)已擴展至太陽能、服務器、儲能、電動汽車充電樁、牽引、商用感應電磁爐和功率轉換系統(tǒng)等。增強型
  • 關鍵字： 英飛凌  CoolSiC  
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